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文献
J-GLOBAL ID：201802228973706438
整理番号：18A1330587
AlGaN/GaN MOSヘテロ接合電界効果トランジスタ用SiO2/AlON積層ゲート誘電体
SiO2/AlON stacked gate dielectrics for AlGaN/GaN MOS heterojunction field-effect transistors
WATANABE Kenta
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TERASHIMA Daiki
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NOZAKI Mikito
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAMADA Takahiro
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NAKAZAWA Satoshi
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
ISHIDA Masahiro
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
ANDA Yoshiharu
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
UEDA Tetsuzo
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
YOSHIGOE Akitaka
(Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN)
,
HOSOI Takuji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIMURA Takayoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WATANABE Heiji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 6S3 ページ： 06KA03.1-06KA03.6 発行年： 2018年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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