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文献
J-GLOBAL ID：201802229032410107
整理番号：18A1112741
β-(Al_xGa_1-x)_2O_3/Ga_2O_3二重ヘテロ構造電界効果トランジスタの実証【JST・京大機械翻訳】
Demonstration of β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 double heterostructure field effect transistors
Zhang Yuewei
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
,
Joishi Chandan
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
,
Xia Zhanbo
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
,
Brenner Mark
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
,
Lodha Saurabh
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
,
Rajan Siddharth
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 112 号： 23 ページ： 233503-233503-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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