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J-GLOBAL ID：201802229038538764 整理番号：18A1195499

記憶装置へのシナプス動力学プロセスのエンジニアリング【JST・京大機械翻訳】

Engineering the Synaptic Kinetic Process into Memristive Device

著者 (6件)：

Zhang Ziyang

(Department of Precision Instrument, Center for Brain Inspired Computing Research, Beijing Innovation Center for Future Chip, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)

,

Wang Yaoyuan

(Department of Precision Instrument, Center for Brain Inspired Computing Research, Beijing Innovation Center for Future Chip, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)

,

Li Huanglong

(Department of Precision Instrument, Center for Brain Inspired Computing Research, Beijing Innovation Center for Future Chip, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)

,

Wu Yujie

(Department of Precision Instrument, Center for Brain Inspired Computing Research, Beijing Innovation Center for Future Chip, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)

,

Wang Guanrui

(Department of Precision Instrument, Center for Brain Inspired Computing Research, Beijing Innovation Center for Future Chip, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)

,

Shi Luping

(Department of Precision Instrument, Center for Brain Inspired Computing Research, Beijing Innovation Center for Future Chip, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)

資料名：

Advanced Electronic Materials (Advanced Electronic Materials)

巻： 4 号： 6 ページ： e1800096 発行年： 2018年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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