文献
J-GLOBAL ID:201802229109350965
整理番号:18A0242786
前駆体膜のアニーリング温度の最適化による10%の効率を有するCu_2ZnSn(S,Se)4光起電力デバイスの作製【Powered by NICT】
Fabrication of Cu2ZnSn(S,Se)4 photovoltaic devices with 10% efficiency by optimizing the annealing temperature of precursor films
著者 (11件):
Zhang Pengpeng
(Key Laboratory for Renewable Energy (CAS), Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China. qbmeng@iphy.ac.cn)
,
Yu Qing
,
Min Xue
,
Guo Linbao
,
Shi Jiangjian
,
Zhao Xiangyun
,
Li Dongmei
,
Luo Yanhong
,
Wu Huijue
,
Meng Qingbo
,
Wu Sixin
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
8
号:
8
ページ:
4119-4124
発行年:
2018年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)