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文献
J-GLOBAL ID：201802229115372439
整理番号：18A2160160
2Dホスホレン:電子デバイスのためのエピタキシャル成長と界面工学【JST・京大機械翻訳】
2D Phosphorene: Epitaxial Growth and Interface Engineering for Electronic Devices
Zhang Jia Lin
(Department of Chemistry, National University of Singapore, 3 Science Drive 3, 117543, Singapore)
,
Han Cheng
(SZU-NUS Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China)
,
Han Cheng
(Department of Physics, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, 117542, Singapore)
,
Hu Zehua
(Department of Physics, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, 117542, Singapore)
,
Wang Li
(Institute for Advanced Study and Department of Physics, Nanchang University, 999 Xue Fu Da Dao, Nanchang, 330031, China)
,
Liu Lei
(State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, No. 3888 Dongnanhu Road, Changchun, 130033, China)
,
Wee Andrew T. S.
(Department of Physics, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, 117542, Singapore)
,
Chen Wei
(Department of Chemistry, National University of Singapore, 3 Science Drive 3, 117543, Singapore)
,
Chen Wei
(SZU-NUS Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China)
,
Chen Wei
(Department of Physics, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, 117542, Singapore)
,
Chen Wei
(National University of Singapore (Suzhou) Research Institute, 377 Lin Quan Street, Suzhou Industrial Park, Jiang Su, 215123, China)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 30 号： 47 ページ： e1802207 発行年： 2018年
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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