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J-GLOBAL ID：201802229201122518 整理番号：18A2042209

アルミニウム注入4H-SiCデバイスにおける補償効果の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Compensation Effects in Aluminum-Implanted 4H-SiC Devices

著者 (9件)：

Weisse Julietta

(Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen, Chair of Electron Devices; Erlangen, 91058, Germany)

Hauck Martin

(Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen-Nuernberg, Lehrstuhl fuer Angewandte Physik, Department Physik; Staudtstrasse 7, Erlangen, 91058, Germany)

Sledziewski Tomasz

(Fraunhofer IISB; Schottkystrasse 10, Erlangen, 91058, Germany)

Tschiesche Mattias

(Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen-Nuernberg, Lehrstuhl fuer Angewandte Physik, Department Physik; Staudtstrasse 7, Erlangen, 91058, Germany)

Krieger Michael

(Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen-Nuernberg, Lehrstuhl fuer Angewandte Physik, Department Physik; Staudtstrasse 7, Erlangen, 91058, Germany)

Bauer Anton J.

(Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Device Technology (IISB); Schottkystrasse 10, Erlangen, 91058, Germany)

Mitlehner Heinz

(Fraunhofer IISB; Schottkystrasse 10, Erlangen, 91058, Germany)

Frey Lothar

(Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen, Chair of Electron Devices; Erlangen, 91058, Germany)

Erlbacher Tobias

(Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen, Chair of Electron Devices; Erlangen, 91058, Germany)

資料名：

Materials Science Forum (Materials Science Forum)

巻： 924 ページ： 184-187 発行年： 2018年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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