文献
J-GLOBAL ID:201802229269468804
整理番号:18A2029299
CMOS-VLSI技術と互換性のある10μW/cm2級高電力密度プレーナSiナノワイヤ熱電エネルギーハーベスタ【JST・京大機械翻訳】
10μW/cm2-Class High Power Density Planar Si-Nanowire Thermoelectric Energy Harvester Compatible with CMOS-VLSI Technology
著者 (20件):
Tomita M.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Oba S.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Himeda Y.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Yamato R.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Shima K.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Kumada T.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Xu M.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Takezawa H.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Mesaki K.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Tsuda K.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Hashimoto S.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Zhan T.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Zhang H.
(Gunma Univ., Kiryu, Japan)
,
Kamakura Y.
(Osaka Univ., Osaka, Japan)
,
Suzuki Y.
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, Japan)
,
Inokawa H.
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, Japan)
,
Ikeda H.
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, Japan)
,
Matsukawa T.
(AIST, Tsukuba, Japan)
,
Matsuki T.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
,
Watanabe T.
(Waseda Univ., Tokyo, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
VLSI Technology
ページ:
93-94
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)