文献
J-GLOBAL ID:201802229760764143
整理番号:18A1211102
極端に高い接合温度での1.2kV SiC MOSFETの電気特性評価【JST・京大機械翻訳】
Electrical characterization of 1.2kV SiC MOSFET at extremely high junction temperature
著者 (4件):
Sun Jiahui
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
,
Xu Hongyi
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
,
Yang Shu
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
,
Sheng Kuang
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
ISPSD
ページ:
387-390
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)