文献
J-GLOBAL ID:201802230280676958
整理番号:18A0588343
二重パルス試験に基づくSiC MOSFETの特性化を切り替え【Powered by NICT】
Double pulse test based switching characterization of SiC MOSFET
著者 (2件):
Ahmad S. S.
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore - 560012 India)
,
Narayanan G.
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore - 560012 India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
NPEC
ページ:
319-324
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)