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文献
J-GLOBAL ID：201802230825435471
整理番号：18A1261538
シリコン導波路上の超低挿入損失能動横電気通過偏光子ベースGe2Sb2Te5の設計【JST・京大機械翻訳】
Design of ultra-low insertion loss active transverse electric-pass polarizer based Ge2Sb2Te5 on silicon waveguide
Song Yipeng
(Laboratory of Infrared Material and Devices, Advanced Technology Research Institute, Ningbo University, Ningbo, 315211, China)
,
Song Yipeng
(Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, 315211, China)
,
Xu Peipeng
(Laboratory of Infrared Material and Devices, Advanced Technology Research Institute, Ningbo University, Ningbo, 315211, China)
,
Xu Peipeng
(Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, 315211, China)
資料名：
Optics Communications
(Optics Communications)
巻： 426 ページ： 30-34 発行年： 2018年
JST資料番号： A0678B ISSN： 0030-4018 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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