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文献
J-GLOBAL ID：201802231001130947
整理番号：18A2161639
有機金属気相エピタクシーによりホモエピタキシャル成長させたSchottky障壁ダイオードのための高純度c面およびm面GaN層の比較
Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy
NAGAMATSU Kentaro
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ANDO Yuto
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YE Zheng
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
BARRY Ousmane I
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TANAKA Atsushi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
DEKI Manato
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
NITTA Shugo
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HONDA Yoshio
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
PRISTOVSEK Markus
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
AMANO Hiroshi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 10 ページ： 105501.1-105501.6 発行年： 2018年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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