文献
J-GLOBAL ID:201802231017375789
整理番号:18A2042275
可変共鳴周波数スピン依存電荷ポンピングで調べた4H-SiC/SiO_2界面に及ぼす窒素の影響【JST・京大機械翻訳】
The Effect of Nitrogen on the 4H-SiC/SiO2 Interface Studied with Variable Resonance Frequency Spin Dependent Charge Pumping
著者 (3件):
Anders Mark A.
(Pennsylvania State University; University Park, USA, 16802)
,
Lenahan Patrick M.
(Pennsylvania State University; University Park, USA, 16802)
,
Lelis Aivars J.
(U.S. Army Research Laboratory; 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, USA, 20783)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
924
ページ:
469-472
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)