文献
J-GLOBAL ID:201802231421131142
整理番号:18A0160151
シェブロングラフェンナノリボン電界効果トランジスタにおける負性微分抵抗と急峻なスイッチング【Powered by NICT】
Negative Differential Resistance and Steep Switching in Chevron Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors
著者 (4件):
Smith Samuel
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Llinas Juan-Pablo
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Bokor Jeffrey
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Salahuddin Sayeef
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
39
号:
1
ページ:
143-146
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)