文献
J-GLOBAL ID:201802231660448760
整理番号:18A0910751
Al2O3/GaN界面特性に対する原子層堆積法における酸化剤の影響
Impacts of oxidants in atomic layer deposition method on Al2O3/GaN interface properties
著者 (5件):
TAOKA Noriyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
KUBO Toshiharu
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
,
YAMADA Toshikazu
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
EGAWA Takashi
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
,
SHIMIZU Mitsuaki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
1S
ページ:
01AD04.1-01AD04.5
発行年:
2018年01月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)