文献
J-GLOBAL ID:201802231820521448
整理番号:18A1028505
InドープZnOのALD【JST・京大機械翻訳】
ALD of in-doped ZnO
著者 (8件):
Li Z.
(University of Florida, Gainesville, Florida, USA)
,
Wu Z.
(University of Florida, Gainesville, Florida, USA)
,
Liao P.
(University of Florida, Gainesville, Florida, USA)
,
Chao T.
(University of Florida, Gainesville, Florida, USA)
,
Zhu L.
(University of Florida, Gainesville, Florida, USA)
,
Kaczynski R.
(Global Solar Energy, Inc., Tucson, Arizona, USA)
,
Schoop U.
(Global Solar Energy, Inc., Tucson, Arizona, USA)
,
Anderson T.J.
(University of Florida, Gainesville, Florida, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
PVSC
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)