文献
J-GLOBAL ID:201802232493961646
整理番号:18A0839945
帯電条件下の絶縁性窒化ケイ素膜からのヘリウムイオンビーム誘起電子放出【JST・京大機械翻訳】
Helium ion beam induced electron emission from insulating silicon nitride films under charging conditions
著者 (3件):
Petrov Yu.V.
(Saint-Petersburg State University, Faculty of Physics, Ulyanovskaya 1, Saint-Petersburg, Russia)
,
Anikeva A.E.
(Saint-Petersburg State University, Faculty of Physics, Ulyanovskaya 1, Saint-Petersburg, Russia)
,
Vyvenko O.F.
(Saint-Petersburg State University, Faculty of Physics, Ulyanovskaya 1, Saint-Petersburg, Russia)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
425
ページ:
11-17
発行年:
2018年
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)