文献
J-GLOBAL ID:201802232698651254
整理番号:18A1860003
電気的に誘発された物理的損傷(EIPD)事例研究:電気的過剰ストレス(EOS)から製品欠陥まで【JST・京大機械翻訳】
Electrically induced physical damage (EIPD) cases study: From electrical overstress (EOS) to product defects
著者 (1件):
Wu Chunlei
(Spirox Technology (Shanghai) Co., Ltd., Shanghai, 201203, China)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
88-90
ページ:
203-207
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)