文献
J-GLOBAL ID:201802232736416775
整理番号:18A1211117
種々のバッファエピ層厚みを持つ3.3kV 4H-SiC MOSFETのための加速ボディダイオード電流ストレスによる信頼性調査【JST・京大機械翻訳】
Reliability investigation with accelerated body diode current stress for 3.3 kV 4H-SiC MOSFETs with various buffer epilayer thickness
著者 (7件):
Ebiike Yuji
(Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 1-1-1 Imajukuhigashi Nishi-ku Fukuoka 819-0192/Japan)
,
Murakami Takeshi
(Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 1-1-1 Imajukuhigashi Nishi-ku Fukuoka 819-0192/Japan)
,
Suekawa Eisuke
(Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 1-1-1 Imajukuhigashi Nishi-ku Fukuoka 819-0192/Japan)
,
Yamamoto Shigehisa
(Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 1-1-1 Imajukuhigashi Nishi-ku Fukuoka 819-0192/Japan)
,
Sumitani Hiroaki
(Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 1-1-1 Imajukuhigashi Nishi-ku Fukuoka 819-0192/Japan)
,
Imaizumi Masayuki
(Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 1-1-1 Imajukuhigashi Nishi-ku Fukuoka 819-0192/Japan)
,
Tarutani Masayoshi
(Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 1-1-1 Imajukuhigashi Nishi-ku Fukuoka 819-0192/Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
ISPSD
ページ:
447-450
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)