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文献
J-GLOBAL ID：201802232930621149
整理番号：18A0126264
半導体デバイスの熱インピーダンス成分を測定するための変調法【Powered by NICT】
Modulation method for measuring thermal impedance components of semiconductor devices
Smirnov V.I.
(Ulyanovsk branch of Institute of Radioengineering and Electronics of Russian Academy of Science, Ulyanovsk, Russian Federation)
,
Smirnov V.I.
(Ulyanovsk State Technical University, Ulyanovsk, Russian Federation)
,
Sergeev V.A.
(Ulyanovsk branch of Institute of Radioengineering and Electronics of Russian Academy of Science, Ulyanovsk, Russian Federation)
,
Sergeev V.A.
(Ulyanovsk State Technical University, Ulyanovsk, Russian Federation)
,
Gavrikov A.A.
(Ulyanovsk branch of Institute of Radioengineering and Electronics of Russian Academy of Science, Ulyanovsk, Russian Federation)
,
Shorin A.M.
(Ulyanovsk branch of Institute of Radioengineering and Electronics of Russian Academy of Science, Ulyanovsk, Russian Federation)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 80 ページ： 205-212 発行年： 2018年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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