文献
J-GLOBAL ID:201802233507311515
整理番号:18A1622528
トンネルFET用の新しい2D材料 ab initio研究【JST・京大機械翻訳】
Novel 2-D Materials for Tunneling FETs: an Ab-initio Study
著者 (6件):
Klinkert C.
(ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, CH-8092, Switzerland)
,
Szabo A.
(ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, CH-8092, Switzerland)
,
Campi D.
(Theory and Simulation of Materials, EPF Lausanne, Lausanne, CH-1015, Switzerland)
,
Stieger C.
(ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, CH-8092, Switzerland)
,
Marzari N.
(Theory and Simulation of Materials, EPF Lausanne, Lausanne, CH-1015, Switzerland)
,
Luisier M.
(ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, CH-8092, Switzerland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
DRC
ページ:
1-2
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)