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文献
J-GLOBAL ID:201802233507311515   整理番号:18A1622528

トンネルFET用の新しい2D材料 ab initio研究【JST・京大機械翻訳】

Novel 2-D Materials for Tunneling FETs: an Ab-initio Study
著者 (6件):
Klinkert C.
(ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, CH-8092, Switzerland)
Szabo A.
(ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, CH-8092, Switzerland)
Campi D.
(Theory and Simulation of Materials, EPF Lausanne, Lausanne, CH-1015, Switzerland)
Stieger C.
(ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, CH-8092, Switzerland)
Marzari N.
(Theory and Simulation of Materials, EPF Lausanne, Lausanne, CH-1015, Switzerland)
Luisier M.
(ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, CH-8092, Switzerland)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2018  号: DRC  ページ: 1-2  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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