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文献
J-GLOBAL ID：201802233851221499
整理番号：18A0860709
オフ状態ドレインバイアスTDDBの物理的機構研究とその進歩したHK/MG FinFETにおける意味【JST・京大機械翻訳】
The physical mechanism investigation of off-state drain bias TDDB and its implication in advance HK/MG FinFETs
Chen I. K.
(Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan)
,
Chen S. C.
(Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan)
,
Mukhopadhyay S.
(Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan)
,
Huang D. S.
(Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan)
,
Lee J. H.
(Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan)
,
Tsai Y. S.
(Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan)
,
Lu Ryan
(Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan)
,
He Jun
(Technology Quality & Reliability Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science Park, Hsinchu, Taiwan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： IRPS ページ： 4A.2-1-4A.2-6 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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