文献
J-GLOBAL ID:201802234240182811
整理番号:18A0195526
パワーMOSFETとIGBTのためのスマートゲートドライバICにおける設計の傾向【Powered by NICT】
Design trends in smart gate driver ICs for power MOSFETs and IGBTs
著者 (2件):
Chen J.
(The Edward S. Rogers Sr. Department of Electrical and Computer Engineering, University of Toronto, 10 King’s College Rd. Toronto ON Canada M5S3G4)
,
Ng W. T.
(The Edward S. Rogers Sr. Department of Electrical and Computer Engineering, University of Toronto, 10 King’s College Rd. Toronto ON Canada M5S3G4)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ASICON
ページ:
112-115
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)