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文献
J-GLOBAL ID：201802234275449478
整理番号：18A2034595
ニッケルドーピングによるGe_2Sb_2Te_5材料の性能改善:RF適合相変化デバイスに向けて【JST・京大機械翻訳】
Improving the performance of Ge2Sb2Te5 materials via nickel doping: Towards RF-compatible phase-change devices
Guo Pengfei
(Department of Electro-Optics and Photonics, University of Dayton, Dayton, Ohio 45469, USA)
,
Burrow Joshua A.
(Department of Electro-Optics and Photonics, University of Dayton, Dayton, Ohio 45469, USA)
,
Sevison Gary A.
(Department of Electro-Optics and Photonics, University of Dayton, Dayton, Ohio 45469, USA)
,
Sood Aditya
(Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
,
Asheghi Mehdi
(Department of Mechanical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
,
Hendrickson Joshua R.
(Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, Ohio 45433, USA)
,
Goodson Kenneth E.
(Department of Mechanical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
,
Agha Imad
(Department of Electro-Optics and Photonics, University of Dayton, Dayton, Ohio 45469, USA)
,
Sarangan Andrew
(Department of Electro-Optics and Photonics, University of Dayton, Dayton, Ohio 45469, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 113 号： 17 ページ： 171903-171903-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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