文献
J-GLOBAL ID:201802234295037349
整理番号:18A0588584
10Kまでのアナログパラメータに及ぼすIn_xGa_1xAs nTFETsのソース側におけるZn拡散過程の影響【Powered by NICT】
Impact of the Zn diffusion process at the source side of InxGa1-xAs nTFETs on the analog parameters down to 10 K
著者 (11件):
Bordallo C.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Martino J.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Agopian P.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Alian A.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Mols Y.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Rooyackers R.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Vandooren A.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Verhulst A.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Simoen E.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Claeys C.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Collaert N.
(Imec, Leuven, Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
S3S
ページ:
1-3
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)