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文献
J-GLOBAL ID：201802234544216316
整理番号：18A0434948
二次元InSeにおけるn型伝導率の起源:表面吸着とvan der WaalsギャップからのIn原子【Powered by NICT】
Origin of n-type conductivity in two-dimensional InSe: In atoms from surface adsorption and van der Waals gap
Wang Hui
(State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Shi Jun-jie
(State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Huang Pu
(State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Ding Yi-min
(State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Wu Meng
(State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Cen Yu-lang
(State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Yu Tongjun
(State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名：
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
(Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 98 ページ： 66-73 発行年： 2018年
JST資料番号： W1066A ISSN： 1386-9477 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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