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文献
J-GLOBAL ID：201802234565501236
整理番号：18A0336075
エッジ接触グラフェンMoS_2ヘテロ構造の電子及び輸送特性に対する第一原理研究【Powered by NICT】
First principles studies on electronic and transport properties of edge contact graphene-MoS2 heterostructure
Sun Jie
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, Shandong, PR China)
,
Lin Na
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, Shandong, PR China)
,
Tang Cheng
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, Shandong, PR China)
,
Wang Haoyuan
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, Shandong, PR China)
,
Ren Hao
(State Key Laboratory of Heavy Oil Processing & Center for Bioengineering and Biotechnology, China University of Petroleum (East China), 266580 Qingdao, PR China)
,
Zhao Xian
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, Shandong, PR China)
資料名：
Computational Materials Science
(Computational Materials Science)
巻： 133 ページ： 137-144 発行年： 2017年
JST資料番号： W0443A ISSN： 0927-0256 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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