文献
J-GLOBAL ID:201802234592299790
整理番号:18A0706619
超接合MOSFETのための新しい深い接合端終端【JST・京大機械翻訳】
A Novel Deep Junction Edge Termination for Superjunction MOSFETs
著者 (4件):
Cheng Chia-Hui
(Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
,
Huang Chih-Fang
(Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
,
Lee Kung-Yen
(Department of Engineering Science and Ocean Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Zhao Feng
(Department of Electrical Engineering, School of Engineering and Computer Science, Micro/Nanoelectronic and Energy Laboratory, Washington State University, Vancouver, WA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
39
号:
4
ページ:
544-547
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)