文献
J-GLOBAL ID:201802234678428782
整理番号:18A0178129
スマート積層技術を用いて作製された二端子III-V/Siタンデム太陽電池の結合抵抗の低減
Reduction of bonding resistance of two-terminal III-V/Si tandem solar cells fabricated using smart-stack technology
著者 (6件):
BABA Masaaki
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
,
MAKITA Kikuo
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MIZUNO Hidenori
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Fukushima, JPN)
,
TAKATO Hidetaka
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Fukushima, JPN)
,
SUGAYA Takeyoshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YAMADA Noboru
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
12
ページ:
122302.1-122302.5
発行年:
2017年12月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)