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文献
J-GLOBAL ID：201802235127424442
整理番号：18A0633940
ALDによるSiNx層を用いた4H-SiC Si面上のゲート絶縁膜の検討
熊澤輝顕
(産業技術総合研)
,
岡本光央
(産業技術総合研)
,
飯島美和子
(産業技術総合研)
,
岩橋洋平
(トヨタ自動車)
,
藤掛伸二
(産業技術総合研)
,
荒岡幹
(富士電機)
,
俵妙
(産業技術総合研)
,
木村浩
(富士電機)
,
原田信介
(産業技術総合研)
,
奥村元
(産業技術総合研)
資料名：
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th ページ： ROMBUNNO.20a-D103-9 発行年： 2018年03月05日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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