文献
J-GLOBAL ID:201802235200549384
整理番号:18A1803941
選択埋め込み酸化物(セルボックス)電荷プラズマに基づく無接合トランジスタを用いた自己加熱効果の低減【JST・京大機械翻訳】
Reduction of self-heating effect using selective buried oxide (SELBOX) charge plasma based junctionless transistor
著者 (3件):
Kumar Amrish
(Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad 211004, India)
,
Gupta Abhinav
(Department of Electronics Engineering, Rajkiya Engineering College, Sonbhadra 231206, India)
,
Rai Sanjeev
(Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad 211004, India)
資料名:
AEUe
(AEUe)
巻:
95
ページ:
162-169
発行年:
2018年
JST資料番号:
A0447A
ISSN:
1434-8411
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)