文献
J-GLOBAL ID:201802235323783246
整理番号:18A2026879
アナログセンサ応用のための薄いTa/Ru/Ta/Ru下地層を用いた磁気トンネル接合における交換バイアスピン止め層のアニーリング安定性の向上【JST・京大機械翻訳】
Enhanced annealing stability of exchange biased pinned layer in magnetic tunnel junctions using a thin Ta/Ru/Ta/Ru underlayer for analog sensor applications.
著者 (8件):
Okamoto K.
(Corporate Reserch & Development Center, Toshiba Corporation, Saiwai-ku,Kawasaki, Japan)
,
Fuji Y.
(Corporate Reserch & Development Center, Toshiba Corporation, Saiwai-ku,Kawasaki, Japan)
,
Higashi Y.
(Corporate Reserch & Development Center, Toshiba Corporation, Saiwai-ku,Kawasaki, Japan)
,
Kaji S.
(Corporate Reserch & Development Center, Toshiba Corporation, Saiwai-ku,Kawasaki, Japan)
,
Nagata T.
(Corporate Reserch & Development Center, Toshiba Corporation, Saiwai-ku,Kawasaki, Japan)
,
Baba S.
(Corporate Reserch & Development Center, Toshiba Corporation, Saiwai-ku,Kawasaki, Japan)
,
Yuzawa A.
(Corporate Reserch & Development Center, Toshiba Corporation, Saiwai-ku,Kawasaki, Japan)
,
Hara M.
(Corporate Reserch & Development Center, Toshiba Corporation, Saiwai-ku,Kawasaki, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
INTERMAG
ページ:
1
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)