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文献
J-GLOBAL ID：201802235373903790
整理番号：18A1138528
転位関連ルミネセンスを持つ電子照射シリコン発光ダイオードのルミネセンスおよび構造特性【JST・京大機械翻訳】
Luminescent and Structural Properties of Electron-Irradiated Silicon Light-Emitting Diodes with Dislocation-Related Luminescence
Sobolev N.A.
(Ioffe Institute, St. Petersburg 194021, Russia)
,
Kalyadin A.E.
(Ioffe Institute, St. Petersburg 194021, Russia)
,
Shek E.I.
(Ioffe Institute, St. Petersburg 194021, Russia)
,
Shtel makh K.F.
(Ioffe Institute, St. Petersburg 194021, Russia)
,
Shtel makh K.F.
(Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, 195251, Russia)
,
Gutakovskii A.K.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 630090, Russia)
,
Vdovin V.I.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 630090, Russia)
,
Mikhaylov A.N.
(Lobachevski State University, Nizhni Novgorod 603950, Russia)
,
Tetel’baum D.I.
(Lobachevski State University, Nizhni Novgorod 603950, Russia)
,
Li D.
(Zhejiang University, State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Hangzhou 310027, People’s Republic of China)
,
Yang D.
(Zhejiang University, State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Hangzhou 310027, People’s Republic of China)
,
Fedina L.I.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 630090, Russia)
資料名：
Materials Today: Proceedings
(Materials Today: Proceedings)
巻： 5 号： 6 P3 ページ： 14772-14777 発行年： 2018年
JST資料番号： W3531A ISSN： 2214-7853 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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