文献
J-GLOBAL ID:201802235398626052
整理番号:18A0968327
700°C以上の温度でプラズマ支援分子ビームエピタクシーにより達成したルミネセンス性n-極性(In,Ga)N/GaN量子井戸【JST・京大機械翻訳】
Luminescent N-polar (In,Ga)N/GaN quantum wells achieved by plasma-assisted molecular beam epitaxy at temperatures exceeding 700 °C
著者 (9件):
Cheze C.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Feix F.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Laehnemann J.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Flissikowski T.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Krysko M.
(Institute of High Pressure Physics, PAS, Sokolowska 29/37, 01142 Warszawa, Poland)
,
Wolny P.
(Institute of High Pressure Physics, PAS, Sokolowska 29/37, 01142 Warszawa, Poland)
,
Turski H.
(Institute of High Pressure Physics, PAS, Sokolowska 29/37, 01142 Warszawa, Poland)
,
Skierbiszewski C.
(Institute of High Pressure Physics, PAS, Sokolowska 29/37, 01142 Warszawa, Poland)
,
Brandt O.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
112
号:
2
ページ:
022102-022102-5
発行年:
2018年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)