文献
J-GLOBAL ID:201802235414390444
整理番号:18A2042327
大容量CMOS鋳造により作製した1200V SiCプレーナゲートMOSFETの信頼性と耐久性【JST・京大機械翻訳】
Reliability and Ruggedness of 1200V SiC Planar Gate MOSFETs Fabricated in a High Volume CMOS Foundry
著者 (5件):
Chowdhury Sauvik
(Monolith Semiconductor, Inc.; Round Rock, USA, 78664)
,
Gant Levi
(Monolith Semiconductor, Inc.; Round Rock, USA, 78664)
,
Powell Blake
(Monolith Semiconductor, Inc.; Round Rock, USA, 78664)
,
Rangaswamy Kasturirangan
(Monolith Semiconductor, Inc.; Round Rock, USA, 78664)
,
Matocha Kevin
(Monolith Semiconductor, Inc.; Round Rock, USA, 78664)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
924
ページ:
697-702
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)