文献
J-GLOBAL ID:201802235525769200
整理番号:18A0917675
高ホール移動度(450 cm2 V-1 s-1)を有する絶縁体上のGe薄膜のための先進的な固相結晶化
Advanced solid-phase crystallization for high-hole mobility (450 cm2 V-1 s-1) Ge thin film on insulator
著者 (4件):
YOSHIMINE Ryota
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
MOTO Kenta
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SUEMASU Takashi
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
TOKO Kaoru
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
11
号:
3
ページ:
031302.1-031302.4
発行年:
2018年03月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)