文献
J-GLOBAL ID:201802235572739065
整理番号:18A1334303
室温でのDCマグネトロンスパッタリングによるSi(111)上の単結晶AlN層のエピタキシャル成長
Epitaxial growth of single-crystalline AlN layer on Si(111) by DC magnetron sputtering at room temperature
著者 (7件):
SHIN In-Su
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Jongmyeong
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Donghyun
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Donghyun
(Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, KOR)
,
PARK Yongjo
(Seoul National Univ., Suwon, KOR)
,
YOON Euijoon
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
YOON Euijoon
(Seoul National Univ., Suwon, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
6
ページ:
060306.1-060306.4
発行年:
2018年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)