文献
J-GLOBAL ID:201802235746028959
整理番号:18A0728897
10-9ω ・cm2接触抵抗率を特徴とするチタン(ゲルマノ)ケイ化物と先進CMOS技術への適合性の改善【JST・京大機械翻訳】
Titanium (germano-)silicides featuring 10-9 Ω・cm2 contact resistivity and improved compatibility to advanced CMOS technology
著者 (10件):
Yu Hao
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Schaekers Marc
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Chew Soon Aik
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Everaert Jean-Luc
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Dabral Ashish
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Pourtois Geoffrey
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Horiguchi Naoto
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Mocuta Dan
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Collaert Nadine
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
De Meyer Kristin
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
IWJT
ページ:
1-5
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)