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文献
J-GLOBAL ID：201802235890763598
整理番号：18A1588206
層状半導体Bi_2O_2Seにおける超高Hall移動度と抑制された後方散乱【JST・京大機械翻訳】
Ultrahigh Hall mobility and suppressed backward scattering in layered semiconductor Bi2O2Se
Tong Tong
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
,
Zhang Minhao
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
,
Chen Yequan
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
,
Li Yan
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
,
Chen Liming
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
,
Zhang Junran
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
,
Song Fengqi
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
,
Wang Xuefeng
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
,
Zou Wenqin
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
,
Xu Yongbing
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
,
Zhang Rong
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 113 号： 7 ページ： 072106-072106-4 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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