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文献
J-GLOBAL ID：201802236362075348
整理番号：18A0929709
MgO表面電荷移動ドーピングによる両極性数層MoTe_2トランジスタのキャリア変調【JST・京大機械翻訳】
Carrier Modulation of Ambipolar Few-Layer MoTe2 Transistors by MgO Surface Charge Transfer Doping
Luo Wei
(College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China)
,
Zhu Mengjian
(College of Aerospace Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China)
,
Peng Gang
(College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China)
,
Zheng Xiaoming
(College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China)
,
Miao Feng
(National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China)
,
Bai Shuxin
(College of Aerospace Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China)
,
Zhang Xue-Ao
(College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China)
,
Zhang Xue-Ao
(State Key Laboratory of High Performance Computing, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China)
,
Qin Shiqiao
(College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China)
,
Qin Shiqiao
(State Key Laboratory of High Performance Computing, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 28 号： 15 ページ： e1704539 発行年： 2018年
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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