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J-GLOBAL ID：201802236413121379 整理番号：18A1509885

スピンコーティング法による溶液処理In-Si-O薄膜トランジスタの研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation on solution-processed In-Si-O thin-film transistor via spin-coating method

著者 (8件)：

Hoang Ha

(Kwansei Gakuin University, Graduate School of Science and Technology, Sanda, Hyogo, 669-1337, Japan)

Hori Tatsuki

(Kwansei Gakuin University, Graduate School of Science and Technology, Sanda, Hyogo, 669-1337, Japan)

Yasuda To-Oru

(Kwansei Gakuin University, Graduate School of Science and Technology, Sanda, Hyogo, 669-1337, Japan)

Kizu Takio

(National Institute for Materials Science (NISM), International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)

Tsukagoshi Kazuhito

(National Institute for Materials Science (NISM), International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)

Nabatame Toshihide

(National Institute for Materials Science (NISM), MANA Foundry and MANAAdvanced Device Materials Group, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)

Trinh Bui Nguyen Quoc

(Vietnam National University-Hanoi, University of Engineering and Technology, Cau Giay, Hanoi, Vietnam)

Fujiwara Akihiko

(Kwansei Gakuin University, Graduate School of Science and Technology, Sanda, Hyogo, 669-1337, Japan)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2018 号： AM-FPD ページ： 1-4 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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