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文献
J-GLOBAL ID：201802236617738541
整理番号：18A0917631
p-AlGaNコンタクト層上の高反射フォトニック結晶を用いた高い外部量子効率(10%)AlGaN系深紫外発光ダイオード
High external quantum efficiency (10%) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes achieved by using highly reflective photonic crystal on p-AlGaN contact layer
KASHIMA Yukio
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
KASHIMA Yukio
(Marubun Corp., Tokyo, JPN)
,
MAEDA Noritoshi
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
MATSUURA Eriko
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
MATSUURA Eriko
(Marubun Corp., Tokyo, JPN)
,
JO Masafumi
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
IWAI Takeshi
(Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, JPN)
,
MORITA Toshiro
(Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, JPN)
,
KOKUBO Mitsunori
(Toshiba Machine Co., Ltd., Shizuoka, JPN)
,
TASHIRO Takaharu
(Toshiba Machine Co., Ltd., Shizuoka, JPN)
,
KAMIMURA Ryuichiro
(ULVAC, Inc., Kanagawa, JPN)
,
OSADA Yamato
(ULVAC, Inc., Kanagawa, JPN)
,
TAKAGI Hideki
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
HIRAYAMA Hideki
(RIKEN, Saitama, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 11 号： 1 ページ： 012101.1-012101.4 発行年： 2018年01月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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