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文献
J-GLOBAL ID:201802237227634060   整理番号:18A1697749

1.2kV級ノーマリーオフGaN-PSJ FET

著者 (9件):
伊佐雄太
(パウデック)
斉藤武尊
(パウデック)
中村文彦
(パウデック)
神山祐輔
(パウデック)
八木修一
(パウデック)
河合弘治
(パウデック)
田中敦之
(名大 未来材料・システム研)
本田善央
(名大 未来材料・システム研)
天野浩
(名大 未来材料・システム研)

資料名:
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

巻: 79th  ページ: ROMBUNNO.18p-PA6-27  発行年: 2018年09月05日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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