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文献
J-GLOBAL ID：201802237366647436
整理番号：18A0718378
PCDTBTベース有機電界効果トランジスタのゲートバイアス制御NO_2応答のモデリング【JST・京大機械翻訳】
Modeling of gate bias controlled NO2 response of the PCDTBT based organic field effect transistor
Kumar Ashwini
(Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India)
,
Kumar Ashwini
(Department of Metallurgical Engineering and Material Science, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
,
Jha P.
(Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India)
,
Singh Ajay
(Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India)
,
Chauhan A.K.
(Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India)
,
Gupta S.K.
(Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India)
,
Aswal D.K.
(Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India)
,
Aswal D.K.
(National Physical Laboratory, New Delhi 110011, India)
,
Muthe K.P.
(Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India)
,
Gadkari S.C.
(Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India)
資料名：
Chemical Physics Letters
(Chemical Physics Letters)
巻： 698 ページ： 7-10 発行年： 2018年
JST資料番号： B0824A ISSN： 0009-2614 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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