文献
J-GLOBAL ID:201802237420944967
整理番号:18A0160133
GaN-on-Si対川下準垂直パワーMOSFET【Powered by NICT】
GaN-on-Si Quasi-Vertical Power MOSFETs
著者 (3件):
Liu Chao
(Power and Wide-band-gap Electronics Research Laboratory, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland)
,
Abdul Khadar Riyaz
(Power and Wide-band-gap Electronics Research Laboratory, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland)
,
Matioli Elison
(Power and Wide-band-gap Electronics Research Laboratory, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
39
号:
1
ページ:
71-74
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)