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文献
J-GLOBAL ID：201802237477808472
整理番号：18A0843929
金属および透明導電性酸化物電極を有するIGZO薄膜トランジスタの比接触抵抗と接触/半導体界面のXPS研究【JST・京大機械翻訳】
Specific contact resistance of IGZO thin film transistors with metallic and transparent conductive oxides electrodes and XPS study of the contact/semiconductor interfaces
Rivas-Aguilar M.E.
(Department of Chemistry, The University of Texas at Dallas, USA)
,
Hernandez-Como N.
(Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologias, Instituto Politecnico Nacional, Mexico)
,
Gutierrez-Heredia G.
(Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, USA)
,
Sanchez-Martinez A.
(CONACYT, Departamento de Ingenieria de Proyectos, Universidad de Guadalajara, Mexico)
,
Ramirez M. Mireles
(Biomedical Engineering Department, Rochester Institute of Technology, Rochester, NY, USA)
,
Mejia I.
(Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, USA)
,
Quevedo-Lopez M.A.
(Department of Chemistry, The University of Texas at Dallas, USA)
,
Quevedo-Lopez M.A.
(Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, USA)
資料名：
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻： 18 号： 7 ページ： 834-842 発行年： 2018年
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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