文献
J-GLOBAL ID:201802237506810779
整理番号:18A0910881
Si中間層を用いた表面活性化接合法による接合・剥離機構の解明
Mechanism of bonding and debonding using surface activated bonding method with Si intermediate layer
著者 (4件):
TAKEUCHI Kai
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
FUJINO Masahisa
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MATSUMOTO Yoshiie
(LanTechnical Serv. Co., Ltd., Gunma, JPN)
,
SUGA Tadatomo
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
4S
ページ:
04FC11.1-04FC11.5
発行年:
2018年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)