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J-GLOBAL ID：201802237721696979 整理番号：18A0165917

低電力応用のための革新的なGeS_2/Sb_2Te_3ベース相変化メモリ【Powered by NICT】

Innovative GeS₂/Sb₂Te₃ based phase change memory for low power applications

著者 (13件)：

Kluge Julia

(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)

,

Verdy Anthonin

(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)

,

Navarro Gabriele

(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)

,

Blonkowski Serge

(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)

,

Sousa Veronique

(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)

,

Chevalliez Sophie

(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)

,

Kowalczyk Philippe

(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)

,

Bernard Mathieu

(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)

,

Bernier Nicolas

(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)

,

Bourgeois Guillaume

(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)

,

Castellani Niccolo

(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)

,

Noe Pierre

(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)

,

Perniola Luca

(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2017 号： NVMTS ページ： 1-4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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