文献
J-GLOBAL ID:201802237721696979
整理番号:18A0165917
低電力応用のための革新的なGeS_2/Sb_2Te_3ベース相変化メモリ【Powered by NICT】
Innovative GeS2/Sb2Te3 based phase change memory for low power applications
著者 (13件):
Kluge Julia
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)
,
Verdy Anthonin
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
,
Navarro Gabriele
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
,
Blonkowski Serge
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)
,
Sousa Veronique
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
,
Chevalliez Sophie
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
,
Kowalczyk Philippe
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
,
Bernard Mathieu
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
,
Bernier Nicolas
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
,
Bourgeois Guillaume
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
,
Castellani Niccolo
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
,
Noe Pierre
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
,
Perniola Luca
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
NVMTS
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)