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文献
J-GLOBAL ID：201802237736811637
整理番号：18A2042381
マイクロデバイス応用のための多孔質炭化ケイ素の電気化学的形成【JST・京大機械翻訳】
Electrochemical Formation of Porous Silicon Carbide for Micro-Device Applications
Gautier Gael
(Universite de Rennes l, Groupe de Microelectronique et Visualisation, UPRESA au CNRS 6076; Campus de Beaulieu, Bat 11B, Rennes, 35042, France)
,
Defforge Thomas
(Universite de Rennes l, Groupe de Microelectronique et Visualisation, UPRESA au CNRS 6076; Campus de Beaulieu, Bat 11B, Rennes, 35042, France)
,
Gomme Guillaume
(Universite de Rennes l, Groupe de Microelectronique et Visualisation, UPRESA au CNRS 6076; Campus de Beaulieu, Bat 11B, Rennes, 35042, France)
,
Valente Damien
(Universite de Rennes l, Groupe de Microelectronique et Visualisation, UPRESA au CNRS 6076; Campus de Beaulieu, Bat 11B, Rennes, 35042, France)
,
Alquier Daniel
(Universite de Rennes l, Groupe de Microelectronique et Visualisation, UPRESA au CNRS 6076; Campus de Beaulieu, Bat 11B, Rennes, 35042, France)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 924 ページ： 943-946 発行年： 2018年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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