文献
J-GLOBAL ID:201802237997543694
整理番号:18A1509828
ゾル-ゲル法で作製したMgドープIn_2O_3薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
Sol-gel processed Mg-doped In2O3 thin-film transistors
著者 (5件):
Kim Taegyun
(Kyungpook National University, School of Electronics Engineering, Daegu, 41566, South Korea)
,
Jang Bongho
(Kyungpook National University, School of Electronics Engineering, Daegu, 41566, South Korea)
,
Lee Sojeong
(Kyungpook National University, School of Electronics Engineering, Daegu, 41566, South Korea)
,
Lee Won-Yong
(Kyungpook National University, School of Electronics Engineering, Daegu, 41566, South Korea)
,
Jang Jaewon
(Kyungpook National University, School of Electronics Engineering, Daegu, 41566, South Korea)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
AM-FPD
ページ:
1-2
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)