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文献
J-GLOBAL ID：201802238033887761
整理番号：18A1622484
10Aフォワード電流と1.6kV絶縁破壊電圧を持つ垂直GaN-on-GaN p-nダイオード【JST・京大機械翻訳】
Vertical GaN-on-GaN p-n Diodes with 10-A Forward Current and 1.6 kV Breakdown Voltage
Wang J.
(University of Notre Dame, 275 Fitzpatrick Hall, Notre Dame, IN, 46556, USA)
,
Cao L.
(University of Notre Dame, 275 Fitzpatrick Hall, Notre Dame, IN, 46556, USA)
,
Xie J.
(Qorvo, 500 W. Renner Rd., Richardson, TX, 75080, USA)
,
Beam E.
(Qorvo, 500 W. Renner Rd., Richardson, TX, 75080, USA)
,
Youtsey C.
(MicroLink Devices., 6457 W. Howard St., Niles, IL, 60714, USA)
,
McfCarthy R.
(MicroLink Devices., 6457 W. Howard St., Niles, IL, 60714, USA)
,
Guido L.
(Virgina Tech, 302 Whittemore, Blacksburg, VA, 24061, USA)
,
Fay Patrick
(University of Notre Dame, 275 Fitzpatrick Hall, Notre Dame, IN, 46556, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： DRC ページ： 1-2 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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